光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時，深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然，如果必須確定光學常數，則應將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置，如波長分辨率，角度范圍等，將根據所需的應用進行考慮。

光譜橢偏儀特征：

•基于Window軟件，易于操作；

•*光學設計，實現系統性能；

•高功率DUV-VIS-NIR光源，適用于寬帶應用；

•基于陣列的探測器系統，確保快速測量；

•用戶可以根據需要定義任意數量的圖層；

•能夠用于實時或在線厚度，折射率監測；

•系統配有全面的光學常數數據庫；

•高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表，色散或有效介質近似（EMA）；

•三種不同的用戶級別控制：工程師模式，系統服務模式和簡易用戶模式；

•靈活的工程模式，適用于各種配方設置和光學模型測試；

•強大的一鍵式按鈕解決方案，用于快速和常規測量；

•可按照用戶偏好配置測量參數，操作簡便；

•系統全自動校準和初始化；

•直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口，無需外部光學元件；

•精確的高度和傾斜程度調整；

•適用于許多不同類型的不同厚度的基材；

•各種選項，附件可用于特殊配置，如繪圖階段，波長擴展，焦點等；

•2D和3D輸出圖形以及用戶數據管理界面；

光譜橢偏儀應用：

•半導體制造（PR，氧化物，氮化物......）

•液晶顯示器（ITO，PR，Cell gap ......）

•法醫學，生物學材料

•油墨，礦物學，顏料，調色劑

•制藥，醫療器械

•光學涂層，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......

•半導體化合物

•MEMS / MOEMS中的功能薄膜

•無定形，納米和硅晶圓

•太陽能電池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....

光譜橢偏儀技術參數：